Semiconductor Memory
WO2020094072
Art A1
14. Mai 2020
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020094072
- Aktenzeichen
- EP19881648
- Anmeldetag
- 6. November 2019
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/4063G06F7/58
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Vertreten von
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