Semiconductor Memory

WO2020094072 Art A1 14. Mai 2020

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020094072
Aktenzeichen
EP19881648
Anmeldetag
6. November 2019
Veröffentlichung
14. Mai 2020
Rechtsraum
WO
IPC
G11C11/4063G06F7/58
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen