Direct-current generator based on dynamic semiconductor heterojunction, and method for preparing same
WO2020098417
Art A1
22. Mai 2020
Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020098417
- Aktenzeichen
- EP19885149
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H02N11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ZHEJIANG UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Zhejiang University
Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.
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