Redistribution layer (rdl) structure, semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2020098470 Art A1 22. Mai 2020

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020098470
Aktenzeichen: EP19886005
Anmeldetag: 28. Oktober 2019
Veröffentlichung: 22. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/498H01L23/522H01L23/528H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Changxin Memory Technologies, Inc.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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