Input buffer circuit, intelligent optimization method, and semiconductor memory thereof

WO2020098476 Art A1 22. Mai 2020

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020098476
Aktenzeichen: EP19884248
Anmeldetag: 29. Oktober 2019
Veröffentlichung: 22. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H03K19/00H03K19/0175

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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