Semiconductor device and fabricating method thereof

WO2020098738 Art A1 22. Mai 2020

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020098738
Aktenzeichen: EP19884743
Anmeldetag: 14. November 2019
Veröffentlichung: 22. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/8234H01L27/088

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Changxin Memory Technologies, Inc.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen