Semiconductor device and manufacturing method
WO2020100995
Art A1
22. Mai 2020
Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020100995
- Aktenzeichen
- EP19883600
- Anmeldetag
- 14. November 2019
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/265H01L21/322H01L29/78H01L29/739H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJI ELECTRIC CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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