Atomic layer etch systems for selectively etching with halogen-based compounds

WO2020101997 Art A1 22. Mai 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020101997
Aktenzeichen: EP19884465
Anmeldetag: 7. November 2019
Veröffentlichung: 22. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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