Method for manufacturing suspended graphene support film by selectively etching growth substrate
WO2020103605
Art A1
28. Mai 2020
Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020103605
- Aktenzeichen
- EP19887721
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B32/194
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- PEKING UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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