Copper pillar bump structure and fabricating method thereof

WO2020103708 Art A1 28. Mai 2020

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020103708
Aktenzeichen: EP19888047
Anmeldetag: 8. November 2019
Veröffentlichung: 28. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/498H01L23/538H01L21/48H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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