Distribution layer structure and manufacturing method thereof, and bond pad structure

WO2020103875 Art A1 28. Mai 2020

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020103875
Aktenzeichen: EP19886718
Anmeldetag: 20. November 2019
Veröffentlichung: 28. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/49H01L23/485H01L23/488H01L21/48

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen