Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing nitride semiconductor laser element

WO2020105362 Art A1 28. Mai 2020

Anmelder: SONY GROUP CORPORATION, SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020105362
Aktenzeichen: EP19886887
Anmeldetag: 25. Oktober 2019
Veröffentlichung: 28. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/343H01L21/205H01S5/042H01S5/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SONY GROUP CORPORATION
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sony Group

Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.

37.221 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sony Semiconductor Solutions

Japanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Atsugi, eine Tochtergesellschaft der Sony Group. Das Unternehmen entwickelt Bildsensoren, CMOS-Sensoren und Halbleiterlösungen für Kameras, Smartphones, Automobile und industrielle Anwendungen.

6.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von