Gallium nitride transistor with a doped region

WO2020106658 Art A1 28. Mai 2020

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020106658
Aktenzeichen: EP19887100
Anmeldetag: 19. November 2019
Veröffentlichung: 28. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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