Epitaxial layer structure for increasing threshold voltage of gan-enhanced mosfet and device fabrication method

WO2020107754 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020107754
Aktenzeichen: EP19891596
Anmeldetag: 25. März 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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