Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (ic)

WO2020108315 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020108315
Aktenzeichen: EP19891374
Anmeldetag: 14. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48H01L21/768H03K19/0175G01R31/28G01R31/317

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Changxin Memory Technologies, Inc.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen