Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement mit Stromverteilungsschicht und Verfahren zur Herstellung des Optoelektronischen Halbleiter-Bauelements

WO2020109530 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020109530
Aktenzeichen: EP19813292
Anmeldetag: 29. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/042

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.892 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von