Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Brechungsindexmodulationsschicht und Verfahren zur Herstellung des Optoelektronischen Halbleiterbauelements

WO2020109534 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020109534
Aktenzeichen: EP19813293
Anmeldetag: 29. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/183H01S5/40H01S5/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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