Field-effect transistor (mosfet) and method for manufacturing same

WO2020109641 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS, UNIVERSIDAD DE CÁDIZ 🇪🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020109641
Aktenzeichen: EP19889618
Anmeldetag: 28. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/16H01L29/94H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS
UNIVERSIDAD DE CÁDIZ
Land: 🇪🇸 Spanien

🇪🇸 Consejo Superior de Investigaciones Científicas

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Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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