Semiconductor device and method for fabrication of semiconductor device

WO2020109923 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020109923
Aktenzeichen: EP19891162
Anmeldetag: 19. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L21/8242H01L27/108H01L27/1156H01L21/336H01L29/788H01L29/792H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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