Super-junction silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing super-junction silicon carbide semiconductor device

WO2020110514 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, FUJI ELECTRIC CO., LTD., NATIONALINSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE A 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020110514
Aktenzeichen: EP19890673
Anmeldetag: 18. Oktober 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
FUJI ELECTRIC CO., LTD.
NATIONALINSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE A
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

1.450 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von