Ion generation device, discharge substrate, and electronic apparatus

WO2020110851 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020110851
Aktenzeichen: EP19889696
Anmeldetag: 20. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01T19/04H01T23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHARP KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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