Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film and method for forming resist pattern

WO2020111068 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020111068
Aktenzeichen: EP19889053
Anmeldetag: 26. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C08F220/22G03F7/11G03F7/20G03F7/26H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

2.270 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von