Two-Terminal Vertical Type Thyristor-Based 1T Dram

WO2020111521 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020111521
Aktenzeichen: EP19890272
Anmeldetag: 24. Oktober 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L27/102H01L29/10H01L29/47H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von