Metal Interconnect Structure By Subtractive Process

WO2020112388 Art A1 4. Juni 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020112388
Aktenzeichen: EP19888753
Anmeldetag: 15. November 2019
Veröffentlichung: 4. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von