Method for producing silicon carbide epitaxial substrate

WO2020115950 Art A1 11. Juni 2020

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020115950
Aktenzeichen: EP19893275
Anmeldetag: 8. August 2019
Veröffentlichung: 11. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42C23C16/52C30B25/16C30B29/36H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von