Thin film transistor and production method therefor

WO2020116499 Art A1 11. Juni 2020

Anmelder: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020116499
Aktenzeichen: EP19893479
Anmeldetag: 4. Dezember 2019
Veröffentlichung: 11. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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