Oxide Semiconductor Thin Film Transistor
WO2020116702
Art A1
11. Juni 2020
Anmelder: INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI U 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020116702
- Aktenzeichen
- EP18942316
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L29/45H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI U
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.
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