Etching isolation features and dense features within a substrate

WO2020117503 Art A1 11. Juni 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020117503
Aktenzeichen: EP19892859
Anmeldetag: 22. November 2019
Veröffentlichung: 11. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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