Dram interface mode with improved channel integrity and efficiency at high signaling rates

WO2020117700 Art A1 11. Juni 2020

Anmelder: RAMBUS INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020117700
Aktenzeichen
EP19893703
Anmeldetag
2. Dezember 2019
Veröffentlichung
11. Juni 2020
Rechtsraum
WO
IPC
G06F5/06G11C7/10G11C11/401
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
RAMBUS INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Rambus Inc.

Rambus ist ein US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in Kalifornien. Die Patente betreffen Speicherschnittstellen, Chip-Sicherheit und Datenübertragung.

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