Void Free Low Stress Fill

WO2020118100 Art A1 11. Juni 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020118100
Aktenzeichen: EP19892446
Anmeldetag: 5. Dezember 2019
Veröffentlichung: 11. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/455C23C16/06C23C16/52H01L21/285H01L21/768H01L27/11524

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von