Boron-silicon co-doped diamond electrode, preparation method therefor and use thereof

WO2020118510 Art A1 18. Juni 2020

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020118510
Aktenzeichen: EP18943325
Anmeldetag: 11. Dezember 2018
Veröffentlichung: 18. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C25B11/06C23C16/455C23C16/30C25B1/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

2.775 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von