Memristor and method for manufacturing same

WO2020119738 Art A1 18. Juni 2020

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020119738
Aktenzeichen: EP19896275
Anmeldetag: 11. Dezember 2019
Veröffentlichung: 18. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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