Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing same, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal

WO2020121794 Art A1 18. Juni 2020

Anmelder: NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020121794
Aktenzeichen: EP19894478
Anmeldetag: 25. November 2019
Veröffentlichung: 18. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/343C23C16/34C23C16/56H01L21/205H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nuvoton Technology Corporation Japan

Nuvoton Technology Corporation Japan ist die japanische Tochtergesellschaft des taiwanischen Halbleiterunternehmens Nuvoton. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen laufen seit 2003 bis in die Gegenwart.

401 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von