Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

WO2020121837 Art A1 18. Juni 2020

Anmelder: SCIOCS COMPANY LIMITED, SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020121837
Aktenzeichen: EP19895930
Anmeldetag: 29. November 2019
Veröffentlichung: 18. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/01C23C16/34C30B25/02H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SCIOCS COMPANY LIMITED
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von