Methods for depositing phosphorus-doped silicon nitride films
WO2020123024
Art A1
18. Juni 2020
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020123024
- Aktenzeichen
- EP19897428
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/34C23C16/505C23C16/04C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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