Techniques for fabricating planar charge balanced (cb) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

WO2020123685 Art A1 18. Juni 2020

Anmelder: GENERAL ELECTRIC COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020123685
Aktenzeichen: EP19895215
Anmeldetag: 11. Dezember 2019
Veröffentlichung: 18. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GENERAL ELECTRIC COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 General Electric

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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