Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Zwischenschicht und Verfahren zur Herstellung des Optoelektronischen Halbleiterbauelements

WO2020127429 Art A1 25. Juni 2020

Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020127429
Aktenzeichen: EP19828703
Anmeldetag: 18. Dezember 2019
Veröffentlichung: 25. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/12H01L21/02H01L33/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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