Method for manufacturing nitride semiconductor wafer and nitride semiconductor wafer

WO2020129540 Art A1 25. Juni 2020

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020129540
Aktenzeichen
EP19898185
Anmeldetag
25. November 2019
Veröffentlichung
25. Juni 2020
Rechtsraum
WO
IPC
C30B23/06C30B25/18H01L21/20H01L21/205C30B29/38C23C16/34
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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