Selective Compression Circuitry in A Memory Device
WO2020131164
Art A1
25. Juni 2020
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020131164
- Aktenzeichen
- EP19900959
- Anmeldetag
- 2. August 2019
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C29/40G01R31/3185
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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