Selective Compression Circuitry in A Memory Device

WO2020131164 Art A1 25. Juni 2020

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020131164
Aktenzeichen
EP19900959
Anmeldetag
2. August 2019
Veröffentlichung
25. Juni 2020
Rechtsraum
WO
IPC
G11C29/40G01R31/3185
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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