Ferroelectric memory devices employing conductivity modulation of a thin semiconductor material or a two- dimensional charge carrier gas and methods of operating the same

WO2020131166 Art A1 25. Juni 2020

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020131166
Aktenzeichen: EP19898485
Anmeldetag: 15. August 2019
Veröffentlichung: 25. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/778H01L27/105H01L29/24H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

2.373 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von