Method of fabricating a semiconductor device having reduced contact resistance
WO2020131248
Art A1
25. Juni 2020
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020131248
- Aktenzeichen
- EP19898793
- Anmeldetag
- 11. November 2019
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L21/285H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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