Dry development of resists

WO2020132281 Art A1 25. Juni 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020132281
Aktenzeichen: EP19898515
Anmeldetag: 19. Dezember 2019
Veröffentlichung: 25. Juni 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/36G03F7/16G03F7/38G03F7/42G03F7/004

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von