Circuit for testing dynamic resistance of gallium nitride device
WO2020135197
Art A1
2. Juli 2020
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020135197
- Aktenzeichen
- EP19903701
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01R31/26G01R27/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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