Transistor model, method for creating transistor model, simulation device, program, and recording medium
WO2020136469
Art A1
2. Juli 2020
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020136469
- Aktenzeichen
- EP19905719
- Anmeldetag
- 20. November 2019
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F30/367
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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