Resistance-variable nonvolatile memory element, and resistance-variable nonvolatile memory device using same

WO2020136974 Art A1 2. Juli 2020

Anmelder: NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020136974
Aktenzeichen: EP19904320
Anmeldetag: 6. August 2019
Veröffentlichung: 2. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8239H01L27/105H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nuvoton Technology Corporation Japan

Nuvoton Technology Corporation Japan ist die japanische Tochtergesellschaft des taiwanischen Halbleiterunternehmens Nuvoton. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen laufen seit 2003 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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