Method for manufacturing nitride semiconductor device

WO2020137667 Art A1 2. Juli 2020

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020137667
Aktenzeichen: EP19902610
Anmeldetag: 16. Dezember 2019
Veröffentlichung: 2. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/338H01L29/778H01L29/812C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von