Method for improving etching resistance of resist underlayer film by pretreatment using hydrogen gas

WO2020138092 Art A1 2. Juli 2020

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020138092
Aktenzeichen: EP19901992
Anmeldetag: 24. Dezember 2019
Veröffentlichung: 2. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11H01L21/027H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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