Plasma activation treatment for wafer bonding

WO2020140212 Art A1 9. Juli 2020

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020140212
Aktenzeichen
EP19907364
Anmeldetag
2. Januar 2019
Veröffentlichung
9. Juli 2020
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/60H01L21/50
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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