Process for producing a receiver substrate for a semiconductor-on-insulator structure for radiofrequency applications and process for producing such a structure

WO2020144438 Art A1 16. Juli 2020

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020144438
Aktenzeichen: EP20705414
Anmeldetag: 8. Januar 2020
Veröffentlichung: 16. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/02H01L21/321

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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