Method for fabricating field-effect transistor

WO2020149186 Art A1 23. Juli 2020

Anmelder: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020149186
Aktenzeichen: EP20741963
Anmeldetag: 8. Januar 2020
Veröffentlichung: 23. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/02H01L21/302H01L21/338H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NTT (Nippon Telegraph and Telephone)

Japanischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Tokio. NTT ist im Festnetz-, Mobilfunk- und Datennetzgeschäft aktiv und entwickelt Technologien für Netzwerkinfrastruktur, Glasfaser, Cloud-Dienste und Informations- und Kommunikationssysteme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von