Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

WO2020149937 Art A1 23. Juli 2020

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020149937
Aktenzeichen: EP19910010
Anmeldetag: 21. November 2019
Veröffentlichung: 23. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1159H01L27/11587H01L29/51H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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